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产品介绍
PLI-MS-RD系列磁控溅射研发设备
极限真空: ≤ 5.0×10-5Pa
可选超高真空配置:极限真空≤1.0×10-6Pa
磁控阴极: 1-8套阴极靶位,包括磁性材料的溅射阴极
溅射电源: 直流、脉冲、射频
基片温度 : 可加热最高800OC
控制系统:PLC控制,触摸屏或连接电脑界面操作
基片尺寸:2-8英寸
靶材尺寸:2-8英寸
应用领域:电子/光学功能薄膜制备,表面金属化,介质薄膜,半导体薄膜制备用于薄膜新工艺研发和小量生产
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